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院副總經理王立出席英諾賽科(蘇州)半導體芯片項目主廠房封頂儀式

發布時間:2019-09-06

        近日,由我院北京世源希达工程技术有限公司承接的英诺赛科(苏州)半导体芯片EPC总承包项目顺利完成主厂房封顶。
  蘇州市市委市政府、吳江區區委區政府、汾湖高新技術産業開發區、中國半導體行業協會、英諾賽科公司以及建設單位、合作單位相關領導及嘉賓共同出席封頂儀式。我院副總經理、希達工程董事長王立,希達工程總經理劉奕、副總經理劉玥受邀出席,希達工程英諾賽科(蘇州)項目部人員參加。
  活動期間,院副總經理、希達工程董事長王立代表院及希達工程公司致賀詞,他對項目廠房的順利封頂表示了熱烈的祝賀,並對項目建設各方的努力表示感謝,他表示公司將會秉持服務客戶至上的理念繼續做好各項服務,保障項目的順利高效實施,爲建設一個高科技、現代化的項目而爲之付出最大的努力,最後祝願英諾賽科事業順利發展,項目穩步推進。隨後,王立與英諾賽科公司董事長駱薇薇博士進行了深入溝通和交流。
  英諾賽科(蘇州)半導體芯片項目坐落于蘇州市吳江區汾湖高新技術産業開發區,占地面積368畝,一期總投資60億元。項目聚焦在第三代半導體材料氮化镓。項目主廠房的全面封頂,標志著施工整體進度達到了65%。按照建設計劃,2020年第三季度通線投産,將成爲一個集研發、設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析爲一體的第三代半導體生産平台。
  該項目建成後將被打造成爲全球領先的8英寸矽基氮化镓量産基地,也是該領域全球首個大型量産基地,單月滿産可達6-8萬片,其生産的氮化镓功率器件、功率模塊和射頻器件,將全面助力新能源汽車、5G通信、人工智能、無線充電與快充、數據中心及激光雷達等行業高效、節能、綠色發展。